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一、技术概述 Quest品牌的QS1700SCM8是一款采用SiC Mosfet技术的功率元件。SiC Mosfet是一种以碳化硅(SiC)为材料制成的场效应晶体管,具有高耐压、大电流、高频、高效、热稳定性好等特点,广泛应用于各种电子设备中。 二、技术特点 1. 高耐压:QS1700SCM8的最大耐压达到1700v,能够承受较大的电压,减少了电路中的电阻,提高了效率。 2. 大电流:该元件的额定电流达到8AMP,能够承受较大的功率输出,适用于各种大功率应用场景。 3. 高频性能:SiC Mos
一、技术概述 Quest品牌的QS1200SCM36是一款高性能的1200V 36AMP SiC Mosfet功率半导体器件。该器件采用先进的碳化硅(SiC)技术,具有高耐压、大电流、高频损耗低等优点,适用于各种高电压大电流应用场景。 二、技术特点 1. 高压性能:QS1200SCM36的耐压达到1200V,能够承受较大的电压和电流负载,适用于需要高功率密度、高效率和高可靠性的应用场景。 2. 大电流能力:该器件的额定电流达到36AMP,能够满足大部分高功率、大电流的应用需求,如逆变器、充电桩
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