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标题:SemiQ品牌GCMX080A120B2H1P参数SIC 1200V 80M MOSFET FULL-BRIDGE的技术和应用介绍 SemiQ品牌GCMX080A120B2H1P是一款具有SIC 1200V 80M MOSFET FULL-BRIDGE技术的MOS管。它是一款高性能的半导体器件,广泛应用于各种电子设备中,如电源转换器、电机驱动器、逆变器等。 首先,我们来了解一下SIC 1200V 80M MOSFET。SIC是一种硅异质结电容,它具有高击穿电压和低饱和电压。而1200V的
标题:SemiQ品牌GCMX040B120S1-E1参数SIC 1200V 40M MOSFET SOT-227的技术和应用介绍 SemiQ品牌的一款新型MOS管——GCMX040B120S1-E1,其核心参数为SIC 1200V 40M,封装形式为SOT-227。这款MOS管以其高性能和广泛应用,成为了电子工程师们关注的焦点。 首先,我们来了解一下这款MOS管的性能特点。SIC 1200V 40M意味着该器件能够承受超过1200V的电压,且导通电阻低于40毫欧,这使得它在高电压、大电流的应用
标题:SemiQ品牌GCMX040A120B3H1P参数SIC 1200V 40M MOSFET FULL-BRIDGE的技术和应用介绍 SemiQ品牌GCMX040A120B3H1P是一款技术先进的SIC 1200V 40M MOSFET FULL-BRIDGE。它广泛应用于各种电子设备中,包括电源转换器、电机驱动器、传感器、功率集成电路等。这款MOSFET器件具有卓越的电气性能和可靠性,为设计人员提供了广泛的设计选择。 技术特性方面,GCMX040A120B3H1P的主要亮点包括高工作频率
标题:SemiQ品牌GCMX040A120B2H1P参数SIC 1200V 40M MOSFET FULL-BRIDGE的技术和应用介绍 SemiQ品牌GCMX040A120B2H1P是一款高性能的SIC MOSFET FULL-BRIDGE,适用于各种电源和电子设备。该器件采用先进的SIC材料技术,具有高耐压、低导通电阻、高速响应等特性,是当前市场上最优秀的功率半导体之一。 技术参数方面,该器件的最大耐压为1200V,最大电流为40mA,导通电阻低至40mΩ,这使得它在高电压、大电流的应用场