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标题:onsemi品牌NVHL070N120M3S参数SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3的技术和应用介绍 onsemi,全球知名的半导体供应商,其NVHL070N120M3S是一款高性能的SIC MOS管,采用TO247-3L封装,具有70MOHM的典型电阻值和1200V的额定电压。这款产品不仅在技术上表现出色,而且在应用领域也非常广泛。 首先,我们来了解一下这款产品的技术特性。NVHL070N120M3S采用了SIC材料,这是一种比常规的硅材料具有更高导电性和更
标题:onsemi品牌NVHL025N065SC1参数SIC MOS TO247-3L 650V技术与应用介绍 onsemi,全球知名的半导体供应商,其NVHL025N065SC1是一款高性能的SIC MOS管,采用TO247-3L封装,额定电压高达650V。这款产品在技术与应用方面的表现,无疑展现了onsemi在半导体领域的领先实力。 首先,我们来了解一下这款产品的技术特点。NVHL025N065SC1采用SIC材料,这使得它在高温和高频率下具有出色的性能。其低导通电阻和高速响应特性,使其在
标题:onsemi NVH4L095N065SC1 SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET, NC的技术和应用介绍 onsemi NVH4L095N065SC1是一款高性能的SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET,其参数包括N极类型,型号规格为4L095N065SC1,其工作频率高,开关损耗低,耐压高,导通电阻低等特性使其在电源管理,电机控制,车载充电机OBC以及逆变器等应用领域中表现出色。 首先,SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET的特
【亿配芯城特荐】TI原装TL431AIDR精密基准稳压IC,精准调控电路设计首选! 在电子电路设计中,精准的电压参考和稳压控制至关重要。德州仪器(TI)原装的 TL431AIDR 作为一款经典的可编程精密基准稳压集成电路,凭借其卓越的性能和广泛的应用适应性,成为工程师们在电源管理、电压监控和误差放大等场景中的首选元件。本文将详细介绍TL431AIDR的性能参数、应用领域及相关技术方案,助您全面了解这颗“电路调控利器”。 芯片性能参数 TL431AIDR是一款三端可调并联稳压器,其核心特性在于提
OPA2277UA/2K5芯片介绍:高性能精密运算放大器 芯片性能参数 OPA2277UA/2K5是一款高精度、低噪声的双通道运算放大器,由德州仪器(TI)设计生产。其关键性能参数包括: - 低偏移电压:典型值为10μV,确保高精度信号处理。 - 低噪声密度:在1kHz时仅为3.5nV/√Hz,适用于敏感测量应用。 - 高共模抑制比(CMRR):达到140dB,有效抑制共模干扰。 - 高开环增益:高达130dB,提供稳定的放大性能。 - 宽电源电压范围:从±2.25V到±18V,适应多种供电环
--- LIS3LV02DL采购上亿配芯城 - 正品特价,现货极速发! 在当今的智能化电子产品设计中,运动感知功能已成为不可或缺的一部分。无论是智能手机的屏幕旋转,还是工业设备的振动监测,都离不开高性能的MEMS加速度计。STMicroelectronics(意法半导体)推出的LIS3LV02DL正是这样一款在市场上广受赞誉的三轴加速度传感器,以其卓越的性能和可靠性,成为众多工程师的首选。 一、 核心性能参数解析 LIS3LV02DL是一款低功耗、高性能的三轴线性加速度计,其关键参数决定了它的
BTS50085-1TMA车规级智能开关现货特供 - 亿配芯城高效配送,助力项目一次上电成功! 在汽车电子和工业控制领域,电源管理芯片的可靠性和效率至关重要。BTS50085-1TMA作为一款车规级智能开关,凭借其卓越的性能和广泛的应用,成为众多工程师的首选。亿配芯城现提供现货特供,并承诺高效配送,确保您的项目从设计到量产一路顺畅,助力项目一次上电成功!本文将详细介绍BTS50085-1TMA的芯片性能参数、应用领域及相关技术方案。 芯片性能参数 BTS50085-1TMA是一款高性能的智能高
标题:onsemi NVH4L070N120M3S参数SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI的技术和应用介绍 onsemi NVH4L070N120M3S是一款高性能的SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI,专为各类电子设备设计。该产品以其卓越的性能、稳定性和可靠性,在市场上获得了广泛的好评。 首先,让我们了解一下SIC MOSFET的基本概念。SIC MOSFET是一种特殊的场效应晶体管,采用碳化硅(SIC)作为其电子性能的主要来源。与传统
标题:onsemi品牌NVH4L040N120M3S参数SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3的技术和应用介绍 onsemi品牌的NVH4L040N120M3S是一款高性能的SIC MOS TO247-4L封装的MOS管,其参数为40MOHM,1200V,M3。这款MOS管在技术上采用了SIC材料,具有高耐压、低导阻和高开关速度等特性,因此在电子设备中具有广泛的应用。 首先,在技术方面,SIC MOS TO247-4L封装的NVH4L040N120M3S具有高耐压和高
标题:onsemi NVH4L030N120M3S SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI技术与应用介绍 onsemi NVH4L030N120M3S是一款高性能的SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI,它采用了先进的半导体技术,具有出色的性能和广泛的应用领域。 首先,让我们了解一下SIC MOSFET的基本特性。SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET是一种采用碳化硅材料制成的功率半导体器件,具有更高的工作温度和电压承受能力