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- 发布日期:2024-11-04 07:10 点击次数:123
英飞凌FF45MR12W1M1PB11BPSA1参数SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1BM技术及应用介绍
英飞凌科技股份公司(Infineon)是一家全球领先的半导体公司,其产品广泛应用于各种领域,包括汽车、工业和消费电子。FF45MR12W1M1PB11BPSA1是一款高性能的SIC功率MOSFET器件,具有出色的性能和可靠性。
FF45MR12W1M1PB11BPSA1的主要参数包括:工作电压为1200V,导通电阻低至35mΩ,通态电流高达12A,开关频率高,并且具有极低的栅极电荷。这些参数使得该器件在各种应用中表现出色,如电机驱动、电源转换、开关模式电源以及各种其他高性能电路。
SIC系列是英飞凌的高压功率MOSFET产品系列,具有出色的性能和可靠性。该系列器件采用了先进的工艺技术,具有高开关速度、低导通电阻和低栅极电荷等优点。SIC系列适用于各种高压应用,如不间断电源(UPS)、电动马达控制、工业电源以及各种其他高性能电路。
AG-EASY1BM是英飞凌为这款SIC功率MOSFET器件提供的封装方案。AG-EASY1BM封装具有出色的散热性能和机械强度,碳化硅SiC,半导体,SiC半导体,碳化硅半导体能够承受恶劣的工作环境,提高器件的可靠性和寿命。此外,该封装还具有易于安装和维修的特点,为用户提供了极大的便利。
FF45MR12W1M1PB11BPSA1在各种应用中具有广泛的应用前景。由于其出色的性能和可靠性,该器件适用于各种高性能电路,如电机驱动器、电源转换器、开关模式电源以及各种其他需要高性能和高可靠性应用的场合。此外,由于其高电压工作能力,该器件也适用于高压电源应用,如不间断电源(UPS)和工业电源等。
总的来说,英飞凌的FF45MR12W1M1PB11BPSA1 SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1BM功率MOSFET器件是一款高性能、高可靠性的产品,具有广泛的应用前景。它的出色性能和可靠的封装方案使其成为各种高性能和高电压应用的首选之一。
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