近日，新加坡科学技术研究局（A*STAR）下属研究机构微电子研究所微电子研究所（IME）centrothermerm，与德国扩散和退火设备供应商合作 International 共同开发8英寸SiC技术的AG达成合作。

SiC作为一种高效、高功率、耐高压的材料，已成为电动汽车、轨道交通、数据中心、电网等高压高功率应用领域的理想选择。然而，SiC产品和技术尚未大规模商业应用，仍处于供应短缺的阶段。其中，SiC衬底环节是大规模生产的主要障碍，需要突破许多瓶颈。

IME与centrotherm的合作旨在结合IME的工艺集成、设备特性描述能力和centrotherm的专业设备，共同开发制造Sic设备的热处理技术，优化沟槽和网格氧化物的形成，提高Sic MOSFET、SiC二极管等设备的性能和可靠性。

IME成立于1991年，专注于全球半导体产业的研发，目前专注于先进的包装piezoMEMS、SiC/GaN、毫米微波、光学传感器等领域的研发。在Sic领域，碳化硅SiC，半导体，SiC半导体，碳化硅半导体IME已经与材料制造商Soitec合作、东丽与ST意大利半导体达成战略合作关系，继续推出8英寸SiC材料技术，瞄准高功率应用市场的机遇。

centrotherm有70多年的历史。热处理和涂层技术是其核心竞争力，其设备的应用场景涵盖多个领域。随着公司向Sic等功率半导体领域的发展，centrotherm计划进一步提高宽禁带半导体工艺模块的扩散和退火工艺的专业性，并将专业知识扩展到Sic/Gan等创新型宽禁带半导体材料领域。

centrotherm作为本次合作的一部分，将在新加坡组成一支专业的技术团队，为IME提供技术know-how、工艺配方及现场支持。

IME认为，公司8英寸SiC试生产线与Centrotherm先进设备的结合，将有助于两家公司加快技术和产品研发步伐，更好地满足市场需求。本次合作将为SiC材料制备提供解决方案，促进SiC技术和产品的大规模商业应用，为电动汽车、轨道交通、数据中心和电网的发展带来更广阔的前景。

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