芯片产品
热点资讯
- 碳化硅(SiC)半导体的竞争格局和市场分析
- 国产DSP替换和进口DSP芯片方案的PIN TO PIN TMS320系列
- 碳化硅(SiC)半导体的散热和热管理技术
- 碳化硅(SiC)半导体的高温和低温工作性能
- Microchip品牌APTMC120AM55CT1AG参数MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1的技术和应用介绍
- 碳化硅(SiC)半导体的材料和设备供应商情况
- Microchip品牌APTMC120AM16CD3AG参数MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3的技术和应用介绍
- 英飞凌AIMZH120R010M1TXKSA1参数SIC_D
- Microchip品牌APTMC120HR11CT3AG参数SIC 2N-CH 1200V 26A SP3的技术和应用介绍
- 英飞凌FF4MR12W2M1HB11BPSA1参数SIC 2N-CH 1200V 170A MODULE的技术和应用介绍
-
13
2024-07
Wolfspeed品牌C3M0021120D-M参数MVF 200MM QUALIFIED MATERIAL的技术和应用介绍
标题：Wolfspeed品牌C3M0021120D-M参数MVF 200MM QUALIFIED MATERIAL的技术与应用介绍 Wolfspeed是一家全球领先的光纤光电子解决方案供应商，其产品在通信、数据中心、汽车、医疗等领域有着广泛的应用。本文将详细介绍Wolfspeed品牌C3M0021120D-M参数MVF 200MM QUALIFIED MATERIAL的技术特点和应用。 一、技术特点 Wolfspeed品牌C3M0021120D-M参数MVF 200MM QUALIFIED M
-
12
2024-07
Wolfspeed品牌C3M0015065K-M参数MVF 200MM QUALIFIED MATERIAL的技术和应用介绍
标题：Wolfspeed品牌C3M0015065K-M参数MVF 200MM QUALIFIED MATERIAL的技术和应用介绍 Wolfspeed是一家全球领先的光纤光电子公司，其C3M0015065K-M参数MVF 200MM QUALIFIED MATERIAL是一种高性能的石英玻璃纤维，具有广泛的应用领域。本文将详细介绍C3M0015065K-M的技术参数、应用领域以及其在实际生产中的优势。 一、技术参数 C3M0015065K-M是一款具有MVF（模量可变纤维）技术的石英玻璃纤维，
-
06
2024-07
ROHM品牌BSM600D12P4G103参数SIC 2N-CH 1200V 567A MODULE的技术和应用介绍
标题：ROHM品牌BSM600D12P4G103参数SIC 2N-CH 1200V 567A MODULE的技术和应用介绍 一、技术概述 ROHM（日本电气元件公司）的BSM600D12P4G103是一款采用了SIC 2N-CH 1200V 567A MODULE的芯片。此模块的特点是具有高耐压、大电流和高功率，为电子设备提供了可靠的技术支持。 SIC是ROHM公司开发的一种超小型封装的高速肖特基二极管，其芯片结构采用了SOD-123，这种封装方式可以使得产品在散热和尺寸之间取得良好的平衡。同
-
04
2024-07
ROHM品牌BSM450D12P4G102参数SIC 2N-CH 1200V 447A MODULE的技术和应用介绍
标题：ROHM品牌BSM450D12P4G102参数SIC 2N-CH 1200V 447A MODULE的技术和应用介绍 ROHM公司生产的BSM450D12P4G102是一款具有重要意义的模块，它采用SIC 2N-CH 1200V 447A技术，具有出色的性能和广泛的应用领域。 首先，SIC 2N-CH 1200V 447A技术是一种先进的功率半导体技术，具有高耐压、大电流和高效率等特点。该技术采用先进的芯片设计和制造工艺，能够实现更小的体积、更高的功率密度和更低的功耗。这使得BSM450
-
03
2024-07
ROHM品牌BSM400D12P3G002参数SIC 2N-CH 1200V 400A MODULE的技术和应用介绍
标题：ROHM品牌BSM400D12P3G002参数SIC 2N-CH 1200V 400A MODULE的技术与应用介绍 一、技术概述 ROHM（日本电气研究所）的BSM400D12P3G002是一款采用SIC半导体工艺的模块化功率器件，其核心为SIC功率芯片，具有高耐压、大电流、低损耗等特点。该器件的额定电压为1200V，最大电流为400A，适用于各种需要大功率、大电流的场合。 二、技术特点 1. 高耐压：采用SIC半导体工艺的BSM400D12P3G002具有极高的耐压水平，能够承受较大
-
02
2024-07
ROHM品牌BSM400D12P2G003参数SIC 2N-CH 1200V 400A MODULE的技术和应用介绍
标题：ROHM品牌BSM400D12P2G003参数SIC 2N-CH 1200V 400A MODULE的技术和应用介绍 一、技术概述 ROHM（日本电气研究所）的BSM400D12P2G003是一款采用SIC半导体工艺的模块化功率器件，其核心是SIC功率芯片，具有高耐压、高电流、低损耗等特点。该器件的额定电压为1200V，最大电流为400A，适用于各种需要大功率、大电流的场合。 二、技术特点 1. 高耐压：SIC芯片的耐压值高达1200V，能够承受较大的电压波动，保证电路的安全运行。 2.
-
01
2024-07
ROHM品牌BSM300D12P4G101参数SIC 2N-CH 1200V 291A MODULE的技术和应用介绍
标题：ROHM品牌BSM300D12P4G101参数SIC 2N-CH 1200V 291A MODULE的技术和应用介绍 ROHM品牌BSM300D12P4G101参数SIC 2N-CH 1200V 291A MODULE，是一款在高压大电流应用中广泛使用的半导体模块。这款模块采用了ROHM公司自主研发的SIC半导体技术，具有出色的电气性能和可靠性。 首先，我们来了解一下SIC半导体技术。SIC是一种高性能的绝缘体半导体材料，具有高耐压、低损耗、高频率等优点。在BSM300D12P4G101
-
30
2024-06
ROHM品牌BSM300D12P3E005参数SIC 2N-CH 1200V 300A MODULE的技术和应用介绍
标题：ROHM品牌BSM300D12P3E005参数SIC 2N-CH 1200V 300A MODULE的技术和应用介绍 ROHM公司以其卓越的技术和产品质量，一直为电子行业提供着重要的元器件。今天，我们将介绍ROHM品牌BSM300D12P3E005参数SIC 2N-CH 1200V 300A MODULE的技术和应用。 首先，我们来了解一下SIC 2N-CH 1200V 300A MODULE的基本参数。它是一款采用SIC半导体技术的模块，具有高耐压、大电流和高频率特性。其工作电压范围为
-
29
2024-06
ROHM品牌BSM300D12P2E001参数SIC 2N-CH 1200V 300A MODULE的技术和应用介绍
标题：ROHM品牌BSM300D12P2E001参数SIC 2N-CH 1200V 300A MODULE的技术和应用介绍 一、技术背景 ROHM（日本豪勇电子公司）是一家在电子元器件领域享有盛誉的全球知名企业，其BSM300D12P2E001参数SIC 2N-CH 1200V 300A MODULE是一款具有高电压、大电流特性的模块，广泛应用于各类电力电子设备中。 二、技术特性 BSM300D12P2E001参数SIC 2N-CH 1200V 300A MODULE具有以下主要技术特性： 1
-
28
2024-06
ROHM品牌BSM250D17P2E004参数SIC 2N-CH 1700V 250A MODULE的技术和应用介绍
标题：ROHM品牌BSM250D17P2E004参数SIC 2N-CH 1700V 250A MODULE的技术和应用介绍 一、技术概述 ROHM（日本电气元件公司）的BSM250D17P2E004是一款采用SIC 2N-CH技术的模块，其电压范围为17V，电流容量为250A。该模块具有高耐压、高电流、低损耗等特点，适用于各种需要高功率密度和高效率的电源应用。 二、技术特点 1. 高耐压：SIC 2N-CH技术采用先进的半导体材料和制造工艺，使得该模块具有较高的耐压水平，能够承受更大的电压波动
-
27
2024-06
ROHM品牌BSM180D12P3C007参数SIC 2N-CH 1200V 180A MODULE的技术和应用介绍
标题：ROHM品牌BSM180D12P3C007参数SIC 2N-CH 1200V 180A MODULE的技术与应用介绍 一、技术概述 ROHM（日本电气元件公司）的BSM180D12P3C007是一款采用SIC 2N-CH技术的模块，其电压规格为1200V，电流容量为180A。该模块在高温、高压、高电流等恶劣环境下表现出色，适用于各种需要高功率、高稳定性的电子设备。 SIC 2N-CH技术是ROHM公司自主研发的一种高性能半导体技术，具有高耐压、高电流、低功耗、高效率等特点。该技术适用于各
-
26
2024-06
ROHM品牌BSM180D12P2E002参数SIC 2N-CH 1200V 204A MODULE的技术和应用介绍
标题：ROHM品牌BSM180D12P2E002参数SIC 2N-CH 1200V 204A MODULE的技术和应用介绍 一、技术概述 ROHM（日本电气研究所）的BSM180D12P2E002是一款采用SIC半导体工艺的模块化功率器件，其参数为SIC 2N-CH，额定电压为1200V，额定电流为204A。该器件具有高耐压、大电流、低损耗、高可靠性等特点，适用于各种高电压、大电流的电源系统。 二、技术特点 1. 高耐压：BSM180D12P2E002的额定电压高达1200V，能够承受较大的瞬