一、技术概述 IXYS MCB40P1200LB-TRR是一款高性能的微型断路器，其技术参数包括额定电压为1200V，电流为58A，以及最大短路电流为9SMPD。这款微型断路器采用了SIC材料，这是一种特殊的高温合金材料，具有高强度、高导热性和良好的高温性能。此外，该微型断路器还配备了先进的电子脱扣器，能够在短路瞬间进行精确的电流检测和保护。 二、应用领域 MCB40P1200LB-TRR适用于各种需要高电流保护的场合，如工业设备、电力转换系统、电子设备等。特别适合应用于需要高精度电流保护的场
一、技术概述 MCB30P1200LB-TUB是IXYS品牌的一款微型断路器，其主要技术参数包括额定电压为交流1200V，频率为50/60Hz，采用SIC材料，具有高导热率特性。该微型断路器采用双金属片温度传感，当电路过载达到9S时，双金属片变形触点动作，实现电路的断开与闭合。 二、技术应用 MCB30P1200LB-TUB在工业应用中具有广泛的应用前景。它主要用于电源电路的保护，特别是对于那些具有大功率和高热量的应用场景。例如，它可用于电动汽车充电桩、风力发电、焊接设备、重型机械等设备中，防
一、技术概述 IXYS品牌的MCB30P1200LB-TRR是一款高性能的微型断路器，其技术参数包括额定电压为交流1200V，频率为50/60Hz，以及工作温度范围为-25℃至+85℃。该产品采用SIC 2N-CH材料，具有高导热性、高强度和良好的耐腐蚀性，使得MCB30P1200LB-TRR在高温和高电压环境下仍能保持良好的电气性能。 二、技术细节 MCB30P1200LB-TRR的额定电流为30A，具备短路保护功能，当电路中出现短路故障时，MCB30P1200LB-TRR能够迅速动作，切断
一、技术概述 MCB20P1200LB-TUB是IXYS品牌的一款高性能微型断路器，其主要应用于工业和商业领域的电气系统中，用于保护相关设备免受电流过载和短路的影响。该产品采用SIC 2N-CH材料，额定电压为1200V，具有高绝缘性能和耐压强度。同时，其动作时间快，分断能力强，使得系统更加安全可靠。 二、技术参数 MCB20P1200LB-TUB的主要技术参数为：额定电流为1200A，额定短路电流为120KA，采用9SMPD的触点形式。这种触点形式具有高导电性，能够有效降低接触电阻，减少电能
一、技术概述 IXYS品牌的MCB20P1200LB-TRR是一款高性能的微型断路器，其主要技术参数为SIC 2N-CH，额定电压为1200V，适用于9SMPD的应用环境。该微型断路器采用了先进的微型电机技术，具有高灵敏度、高可靠性和快速反应的特点，能够在极短的时间内对电路进行保护和切断。 二、技术特点 1. 高灵敏度：该微型断路器能够准确检测电路中的异常电流，并在瞬间切断电路，有效防止过电流和过电压导致的电气火灾。 2. 高可靠性：采用高品质的电气元件和材料，经过严格的生产工艺流程，确保了产
STM品牌M1F45M12W2-1LA是一款应用于汽车工业领域的ACEPACK DMT-32型号MOS管，其参数和技术应用具有较高的专业性和广泛性。 首先，我们来详细了解STM品牌M1F45M12W2-1LA的参数。该产品采用M1F45系列，具有45A的持续输出电流，工作频率范围为30KHz至70KHz。其低饱和电压和低栅极电荷，使得它具有较高的传输性能和快速响应时间。此外，ACEPACK DMT-32结构进一步提高了其效率，并降低了其导通电阻。 技术应用方面，STM品牌M1F45M12W2-
一、技术概述 IXYS品牌的LSIC1MO120T0160-TU是一款SIC MOSFET晶体管，其参数为1200V/160MOHM。这种晶体管采用TO-263封装，具有高耐压、高电流、低损耗等特性，适用于各种电子设备中。SIC MOSFET晶体管是一种重要的功率半导体器件，广泛应用于电源管理、电机控制、变频器、开关电源等领域。 二、技术特点 1. 1200V的耐压值使得该晶体管可以在高电压场合下工作，提高电路的安全性和可靠性。 2. 160MOHM的通态电阻使得晶体管具有较低的损耗，有助于提
一、技术概述 IXYS品牌的LSIC1MO120T0120-TU是一款SIC MOSFET晶体管，其技术规格和性能参数在TO-263封装中表现出色。该器件具有1200V的额定电压和120MOHM的典型电阻值，适用于各种高电压、大电流应用场景。SIC材料的使用使得该器件具有更高的导通电阻和更快的开关速度，使其在电力电子和驱动系统中具有广泛的应用前景。 二、应用领域 1. 电源管理：LSIC1MO120T0120-TU适用于各种电源管理应用，如不间断电源（UPS）、电动车充电桩、太阳能逆变器等。通
一、技术概述 IXYS品牌的LSIC1MO120T0080-TU是一款SIC MOSFET晶体管，其参数为1200V/80MOHM。这种半导体器件采用SIC材料，具有高耐压、低导通电阻、高开关速度等特性。TO-263-7封装形式使得该器件在应用中具有良好的兼容性和可操作性。 二、技术特点 1. 高耐压：1200V的耐压值使得该器件在需要高电压的电路中具有出色的性能。 2. 低导通电阻：80MOHM的导通电阻意味着该器件在导通时具有较低的功耗，有利于提高电路的效率。 3. 高开关速度：SIC材料